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J-GLOBAL ID：200903022985572690
低抵抗タンタル薄膜の製造方法及び低抵抗タンタル配線並びに電極
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995158411
Publication number (International publication number)：1996325721
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：
【要約】【目的】低抵抗のタンタル配線乃至電極の提供。【構成】基板上に窒化タンタルとタンタルを順次スパッタリングにより積層する際、窒化タンタル成膜時のガス圧力を0.5pa以下で反応性スパッタリングにより行ない、窒化タンタルの膜質を結晶質とする。窒化タンタル膜(TaNx)の構造が六方 格子で、かつその窒素濃度と結晶配向が、少なくともx=1で(110)、x=0.8で(100)、x=0.5で(101)、x=0.43で(111)からなる群のうち少なくとも一を含む。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に窒化タンタル膜とタンタル膜とを順次スパッタリングにより積層して形成する低抵抗タンタル薄膜の製造方法において、前記窒化タンタル膜の成膜時のガス圧力を所定値以下で行なうことを特徴とする低抵抗タンタル薄膜の製造方法。
IPC (8)：
C23C 14/34
, C23C 14/06
, G02F 1/136
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
C23C 14/34 M
, C23C 14/06 N
, G02F 1/136
, H01B 5/14 Z
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503 Z
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 R
, H01L 21/88 M
