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J-GLOBAL ID：200903022989332626

不揮発性半導体記憶装置の書込み方法

Inventor： 弓削 智一 ,  興梠 泰宏 ,  安藤 伸朗
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992348427
Publication number (International publication number)：1994195988
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 テスト対象の不揮発性半導体記憶装置の書込み時間を測定し、その後はその書込み時間に対応した時間で書込み処理を行うことで、書込み時間の短縮を図る。【構成】 テスト対象とする不揮発性半導体記憶装置の各メモリセルに対し、通常の書込み時間である、例えば 100μs に対し10μs に設定して書込みを実施し、書込み状態が良好となるまでの時間、即ち書込み時間(又は書込み回数)を測定し、全メモリセル中の最も長い書込み時間を当該不揮発性半導体記憶装置に対する書込み時間と決定し(ステップS21)、それ以後の当該不揮発性半導体記憶装置に対する書込み処理は決定した書込み時間に基づいて書込み時間を変更したテストプログラムを用いたテスタにて情報の書込みを行い(ステップS22)、また実際の情報の書込み処理に際しても決定した書込み時間に基づく書込みを行い(ステップS22)、情報の書込み時間の短縮を図る。

Claim (excerpt)：

書込み対象である電気的に情報の書込みが可能な不揮発性半導体メモリに対する情報の必要な書込み状態が得られる書込み時間を求め、その結果に基づき書込み時間を変更したテストプログラムを用いたテスタにより情報の書込み処理を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書込み方法。