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J-GLOBAL ID：200903022992565291

半導体レーザモジュールの製造方法

Inventor： 三浦 和則
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318286
Publication number (International publication number)：1994160676
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザと光ファイバとを同一基板上で結合する半導体レーザモジュールの製造方法に関し、半導体レーザと光ファイバとの位置合わせ精度を向上して光結合効率の高い半導体レーザモジュールを製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1上に、光ファイバ実装用の溝31を形成し、同時に、光ファイバ実装用の溝31の中心線の延長上にあたる基板1上に1個または2個の溝マーカ41を形成し、一方、半導体レーザ12の裏面に、活性層15を挟んで両側に等間隔に2個のマーカ13を形成し、基板1の表面を鏡面にして半導体レーザ12の裏面に形成された2個のマーカ13を基板1の表面で反射させて観測し、2個のマーカ13の中心と1個の溝マーカ41または2個の溝マーカ41の中心とを一致させて半導体レーザ12と光ファイバ16とを位置合わせするようにする。

Claim (excerpt)：

同一基板(1)上に半導体レーザ(12)と光ファイバ(16)とを実装する半導体レーザモジュールの製造方法において、前記基板(1)上に光ファイバ実装用の溝(31)を形成し、同時に、該光ファイバ実装用の溝(31)の中心線の延長上にあたる前記基板(1)上に1個の溝マーカ(41)を形成し、前記半導体レーザ(12)の裏面に、活性層(15)を挟んで両側に等間隔に2個のマーカ(13)を形成し、前記基板(1)の表面を鏡面にし、前記半導体レーザ(12)の裏面に形成された2個のマーカ(13)を前記基板(1)の表面で反射させて観測し、該2個のマーカ(13)の中心と前記溝マーカ(41)とを一致させて前記半導体レーザ(12)と前記光ファイバ(16)とを位置合わせすることを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。

IPC (3)：

G02B 6/42 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18