Pat

J-GLOBAL ID：200903023001146403

パタン形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 服部 孝司 ,  土屋 裕子 ,  白石 洋 ,  山中 良子 ,  服部 恵子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997091838
Publication number (International publication number)：1998282671
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】ArFエキシマレーザの波長193nmを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたパタン形成方法を提供する。【解決手段】化学式(1)または(2)に示すような、環状脂肪族炭化水素骨格1ユニットに対して、近傍にカルボン酸の構造を1ユニット持つ化学構造に基づく水性アルカリ溶解性を用いる。【化1】

Claim (excerpt)：

所定の基板上に感光性組成物からなる塗膜を形成する工程,上記塗膜に所定パタン状に活性化学線を照射することで上記塗膜中に所望のパタンの潜像を形成する工程,水性アルカリ現像液を用いて上記塗膜中に所望のパタンを現像する工程を少なくとも含むパタン形成方法において、水性アルカリ現像液での現像が、実質的に当該潜像形成後の塗膜中の下記化学式(1),(2)で示される化学構造に基づく水性アルカリ溶解性によることを特徴とするパタン形成方法(式中、Rは、アルキル基,環状アルキル基、あるいは水酸基を有する環状アルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を表す)。【化1】【化2】

IPC (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 Z ,  H01L 21/30 502 R