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J-GLOBAL ID：200903023001807507

静電放電保護素子及びその製造方法

Inventor：
キム,サン・ホ

About キム,サン・ホ


Applicant, Patent owner：
東部エレクトロニクス株式会社

About 東部エレクトロニクス株式会社


Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006216590
Publication number (International publication number)：2007049158
Application date： Aug. 09, 2006
Publication date： Feb. 22, 2007
Summary：
【課題】リーク電流が少なく、かつ低い降伏電圧を有する素子を使用して、内部素子を保護することができる静電放電保護素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による静電放電保護素子は第1導電型半導体基板のフィールド領域に形成される第1素子分離膜、第2素子分離膜;前記第1素子分離膜によって隔離されて前記第1導電型半導体基板にそれぞれ形成される第1高濃度第2導電型不純物領域、第2高濃度第2導電型不純物領域;前記第2素子分離膜によって隔離されて前記第2高濃度第2導電型不純物領域一側の前記第1導電型半導体基板に形成される高濃度第1導電型不純物領域;及び降伏電圧を低くするために前記第1高濃度第2導電型不純物領域下側の前記半導体基板に形成される低濃度第1導電型不純物領域;を含むことを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板のフィールド領域に形成される第1素子分離膜および第2素子分離膜と、 前記第1素子分離膜によって隔離されて前記第1導電型半導体基板にそれぞれ形成される第1高濃度第2導電型不純物領域および第2高濃度第2導電型不純物領域と、 前記第2素子分離膜によって隔離されて前記第1導電型半導体基板の前記第2高濃度第2導電型不純物領域一方の側に形成される高濃度第1導電型不純物領域と、 降伏電圧を低くするために前記半導体基板の前記第1高濃度第2導電型不純物領域の下側に形成される低濃度第1導電型不純物領域と を含むことを特徴とする静電放電保護素子。
IPC (3)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06
FI (2)：
H01L27/04 H ,  H01L27/06 311C
F-Term (18)：
5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048BA01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BG13 ,  5F048CC10 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 静電気保護用半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-109202   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-104123   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 特開平3-184369
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