Pat

J-GLOBAL ID：200903023009801931

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、磁気抵抗効果ヘッド並びに磁気記録再生装置

Inventor： 林 一彦 ,  中田 正文
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101490
Publication number (International publication number)：2000293823
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来よりも高い再生出力を得、また歩留まりよく製造する。【解決手段】 基板上に設けられた第1磁性層1と、この第1磁性層1と接して設けられた非磁性層3と、この非磁性層3と接して設けられた第2磁性層2とを備え、外部磁界に応じて変化した抵抗値の変化に伴って、第1および第2磁性層の間を流れるセンス電流が変化する磁気抵抗効果素子において、第1磁性層1を流れるセンス電流の距離および第2磁性層2を流れるセンス電流の距離の両方、または、少なくとも何れか一方は、第1磁性層1と非磁性層3と第2磁性層2とが積層された部分を流れるセンス電流の距離よりも長くしたものである。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた第1磁性層と、この第1磁性層と接して設けられた非磁性層と、この非磁性層と接して設けられた第2磁性層とを備え、外部磁界に応じて変化した抵抗値の変化に伴って、前記第1および第2磁性層の間を流れるセンス電流が変化する磁気抵抗効果素子において、前記第1磁性層を流れるセンス電流の距離および前記第2磁性層を流れるセンス電流の距離の両方、または、少なくとも何れか一方は、前記第1磁性層と前記非磁性層と前記第2磁性層とが積層された部分を流れるセンス電流の距離よりも長いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

F-Term (6)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034BB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-053065   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 特開平4-042417