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J-GLOBAL ID：200903023015498329

多光子励起型偏極電子線発生装置

Inventor： 中西 彊 ,  堀中 博道
Applicant, Patent owner： 財団法人名古屋産業科学研究所
Agent (1)： 小玉 秀男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001043424
Publication number (International publication number)：2002245959
Application date： Feb. 20, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 陰極から偏極電子線を放出させるにあたって、化合物半導体の表面に負の電子親和性を必要としない技術を実現する。【解決手段】 化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が前記化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の0.5倍以上で1.0倍未満に設定されている。この装置によると、2光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。通常の化合物半導体を用いて長期間に亘って安定的に偏極電子線を発生する装置を実現することができる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の0.5倍以上で1.0倍未満に設定されていることを特徴とする2光子励起型偏極電子線発生装置。

IPC (3)：

H01J 37/075 ,  H01J 1/34 ,  H01S 3/00

FI (3)：

H01J 37/075 ,  H01J 1/34 C ,  H01S 3/00 Z

F-Term (7)：

5C035CC07 ,  5C235CC07 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ05 ,  5F072RR01 ,  5F072SS06 ,  5F072YY20