圧電素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001202588
Publication number (International publication number)：2003017767
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】大きな圧電変位量を確実に且つ簡便に得る。【解決手段】基板11上に、Ti膜12及び第1のPt膜13による積層構造とされた下地膜14を介してPZT薄膜15を形成する。この第1のPt膜13の(111)ピークにおけるロッキングカーブの半値幅を5°以内に設定する。これにより、Tiリッチな組成とされたPZT薄膜15における(111)配向度を十分に且つ簡便に確保することができる。これによりPZT薄膜15は、自発分極が向上し、大きな圧電変位量を示すこととなる。

Claim (excerpt)：

基板上に、(111)方位に優先配向されたPt膜と、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜とが順次積層されてなる圧電素子において、上記Pt膜は、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅が5°以内に設定されていることを特徴とする圧電素子。

IPC (2)：

H01L 41/08 , H01L 41/18

FI (2)：

H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-184985
積層構造電極、その形成方法、及び圧電アクチュエータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-336700 Applicant：株式会社リコー, 経済産業省産業技術総合研究所長
PZT系強誘電体薄膜およびその形成方法ならびに同薄膜を用いた機能素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-038055 Applicant：工業技術院長

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