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J-GLOBAL ID：200903023024915765
MR複合ヘッドの製造方法およびこれによるMR複合ヘ ッド
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997295638
Publication number (International publication number)：1999134618
Application date： Oct. 28, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 形成工程での上磁極幅の管理精度を向上させ、かつ、ABSでの上磁極幅を1μm以下に形成し、再付着層を起因とするABSでの腐食発生を防止しできるMR複合ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 磁極層5の形成において、イオンミリング法により磁極層5の側壁をエッチングすることにより、側壁に形成された再付着層6を除去する。これにより、上磁極幅17の精度を向上させ、かつ、再付着層の起因する磁極の腐食発生を抑制する。また、上磁極12を側壁方向からイオンミリング法でエッチングすることにより、上磁極幅17を所望の幅に制御し、フォトリソグラフィ技術で困難とされる1μm以下での上磁極幅の形成が可能になる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたMR(磁気抵抗効果)素子と、磁気ギャップを介した上下2つの磁極とこの磁極間に絶縁層を介して形成されたコイルを含む薄膜電磁変換素子とを一体化して搭載したMR複合ヘッドの製造方法において、前記上磁極の形成が次の工程を含むことを特徴とするMR複合ヘッドの製造方法。(1)スパッタリング法により基板上に磁性膜を成膜する工程(2)その上にレジストパターンで磁極パターンを形成する工程(3)基板上のレジストパターン以外の部分に電気めっき法により磁極層を成膜する工程(4)磁極層のうち磁極となる部分のみ除いてレジストパターンで覆う工程(5)化学エッチング法により不要な磁極層を除去し、かつ有機溶剤により全てのレジストカバーパターンを除去する工程(6)イオンミリング法により磁極層近傍のめっき下地膜を除去する工程(7)イオンミリング法により磁極層の側壁に形成された再付着層を除去する工程
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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