半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007015848
Publication number (International publication number)：2007288137
Application date： Jan. 26, 2007
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：

【課題】新規STI構造を有する半導体装置の提供。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、トレンチ5を有する基板1と、そのトレンチ5内に形成された素子分離構造40とを備える。その素子分離構造40は、界面酸化膜20を介して基板1の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜(SiON膜)10と、シリコン酸窒化膜10上に形成された埋設絶縁膜30とを有する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

トレンチを有する基板と、前記トレンチ内に形成された素子分離構造とを備え、前記素子分離構造は、界面酸化膜を介して前記基板表面上に形成されたシリコン酸窒化膜と、前記シリコン酸窒化膜上に形成された埋設絶縁膜とを有する半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/76 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/08 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (5)：

H01L21/76 L , H01L27/06 102A , H01L27/08 331A , H01L27/10 621C , H01L27/10 681D

F-Term (47)：

5F032AA35 , 5F032AA36 , 5F032AA37 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032CA14 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA33 , 5F032DA74 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BF03 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG03 , 5F048BG14 , 5F048DA27 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083GA06 , 5F083HA07 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-141584 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (7)

シリコン基板に分離領域を形成する方法および分離領域の構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-008743 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト, 株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-204617 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-203351

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