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J-GLOBAL ID：200903023027990156

記録装置の製造方法及び製造装置

Inventor： 井谷 司 ,  中村 哲一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001139144
Publication number (International publication number)：2002334428
Application date： May. 09, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 記録装置の製造方法及びその方法を実施する装置に関し、磁気ディスクや磁気ヘッドなどの記録装置に於ける保護膜を高い硬度で、且つ、高い膜厚均一性をもって成膜することを可能にしようとする。【解決手段】 グラファイトからなる固体炭素源13にレーザ装置12からKrFエキシマ・レーザ光を照射して炭素を昇華させ且つプラズマ化してイオンとなし、該イオンを四重極型マスフィルタ15に導いて所要のイオンのみを選択して成膜対象である基板18に照射しDLC、ta-Cなどの硬質炭素からなる保護膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

固体炭素源にレーザ光を照射して炭素を昇華させ且つプラズマ化してイオンとし、該イオンをマスフィルタに導いて所要のイオンのみを選択して対象物に照射し硬質炭素からなる保護膜を成膜する工程が含まれてなることを特徴とする記録装置の製造方法。

IPC (9)：

G11B 5/84 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/32 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/60 ,  G11B 21/21 101 ,  H01J 27/24 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317

FI (10)：

G11B 5/84 B ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/32 F ,  G11B 5/187 T ,  G11B 5/60 C ,  G11B 5/60 Z ,  G11B 21/21 101 L ,  H01J 27/24 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 E

F-Term (24)：

4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BD11 ,  4K029CA03 ,  4K029DE02 ,  4K029DE03 ,  5C030DF01 ,  5C034CC01 ,  5C034CC02 ,  5D042NA01 ,  5D042QA03 ,  5D042SA03 ,  5D111AA24 ,  5D111DD00 ,  5D111FF23 ,  5D111JJ04 ,  5D111KK07 ,  5D111KK08 ,  5D112AA07 ,  5D112AA24 ,  5D112BC05 ,  5D112FA02 ,  5D112FB12 ,  5D112FB21