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J-GLOBAL ID：200903023036414010

有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置

Inventor： 鈴木 克己 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000154515
Publication number (International publication number)：2001332542
Application date： May. 25, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置に関し、低誘電率で耐熱性が高く、且つ、Cuの拡散に対するバリア性に優れた絶縁膜材料を提供する。【解決手段】 アダマンタン環同士を酸素を介して結合して構成されるポリアダマンタンエーテル、特に、重量平均分子量が1000以上500000以下であるポリアダマンタンエーテルからなる絶縁膜形成材料を用いる。

Claim (excerpt)：

アダマンタン環同士を酸素を介して結合して構成されるポリアダマンタンエーテルからなることを特徴とする有機絶縁膜材料。

IPC (6)：

H01L 21/312 ,  C08G 65/34 ,  C09D 5/25 ,  C09D171/08 ,  H01B 3/42 ,  H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/312 A ,  C08G 65/34 ,  C09D 5/25 ,  C09D171/08 ,  H01B 3/42 G ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

F-Term (54)：

4J005AA21 ,  4J005BB01 ,  4J005BB02 ,  4J038DF001 ,  4J038MA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX18 ,  5F033XX25 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5G305AA07 ,  5G305AA14 ,  5G305AB10 ,  5G305AB24 ,  5G305AB40 ,  5G305BA18 ,  5G305BA24 ,  5G305BA26 ,  5G305CA13 ,  5G305DA22