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J-GLOBAL ID：200903023038130027
半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西教 圭一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118711
Publication number (International publication number)：1996316566
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 単一縦モード、低いビーム放射角、良好な導波モードを実現する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 n-GaAsから成る基板1の上に順次、n-AlGaAsから成るクラッド層2、n-GaAsから成る光導波層3、n-AlGaAsから成るキャリアブロック層4、InGaAs/GaAsから成る量子井戸活性層5、p-AlGaAsから成るキャリアブロック層6、p-GaAsから成る光導波層7、p-AlGaAsから成るクラッド層8、p-GaAsから成るコンタクト層9がそれぞれ形成されている。光導波層7の上面には、周期が約0.28μm、深さが約0.1μmの回折格子12が形成される。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された第1クラッド層と、第1クラッド層の上に形成された第1光導波層と、第1光導波層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成された第2光導波層と、第2光導波層の上に形成された第2クラッド層と、前記活性層の両側に近接して、活性層ならびに第1および第2光導波層の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有するキャリアブロック層とを具備し、第1光導波層と第1クラッド層との境界面または第2光導波層と第2クラッド層との境界面に、縦モードを制御するための周期構造が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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