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J-GLOBAL ID：200903023042147090

Mo系ターゲット材の製造方法

Inventor： 岩崎 克典 ,  井上 惠介 ,  植村 典夫
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004055021
Publication number (International publication number)：2005240160
Application date： Feb. 27, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】加圧容器への原料粉末の充填密度を向上させ焼結体の変形を低減させ、また組成の偏在を低減させたMo系ターゲット材の製造方法を提供する。【解決手段】Moを主体とする平均粒径20μm以下の原料粉末を圧縮成形した圧密体を、粉砕し、該原料粉末の平均粒径以上でかつ平均粒径30mm以下の二次粉末を作製した後、該二次粉末を加圧容器に充填し、加圧焼結を施し焼結体を得る。次いで、熱間塑性加工、再結晶化熱処理を施し、ターゲット材に加工する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

Moを主体とする平均粒径20μm以下の原料粉末を圧縮成形した圧密体を、粉砕し該原料粉末の平均粒径以上でかつ平均粒径10mm以下の二次粉末を作製した後、該二次粉末を加圧容器に充填し、次いで加圧焼結を施し焼結体を得ることを特徴とするMo系ターゲット材の製造方法。

IPC (4)：

B22F3/15 ,  B22F3/04 ,  B22F3/24 ,  C22C1/04

FI (6)：

B22F3/15 M ,  B22F3/15 G ,  B22F3/04 B ,  B22F3/24 C ,  B22F3/24 F ,  C22C1/04 D

F-Term (17)：

4K018AA22 ,  4K018BA03 ,  4K018BA09 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC08 ,  4K018BC12 ,  4K018CA23 ,  4K018EA16 ,  4K018EA31 ,  4K018EA41 ,  4K018FA02 ,  4K018FA06 ,  4K018FA08 ,  4K018KA29 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ターゲットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-366638   Applicant：日立金属株式会社
• スパッタリング用モリブデンターゲットの製造方法及びモリブデンターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-145086   Applicant：新日本製鐵株式会社

Cited by examiner (4)

• 金属シリサイドターゲット材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-057983   Applicant：日立金属株式会社
• スパッタリング用モリブデンターゲットの製造方法及びモリブデンターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-145086   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-129538   Applicant：日立金属株式会社
• ターゲットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-366638   Applicant：日立金属株式会社