Pat
J-GLOBAL ID：200903023051896276
ダイヤモンド及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218558
Publication number (International publication number)：1995069795
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 放電加工を利用したダイヤモンドの製造方法、特に大型の単結晶ダイヤモンドの製造方法に関するものである。【構成】 ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層とアンドープダイヤモンド層とを交互に積層状に成長させて得られる半導体ダイヤモンド層とアンドープダイヤモンド層とが交互に積層したダイヤモンド及びその積層したダイヤモンドの半導体ダイヤモンド層を放電加工により切断し、基板部分を分離するとともに板状のアンドープダイヤモンドを得ることを特徴とするダイヤモンドの製造方法。【効果】 高価な単結晶基板の再使用が可能となり、高品質のダイヤモンド単結晶を効率的かつ安価に製造することができる。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層を成長させたのち、放電加工により基板部分を分離することを特徴とするダイヤモンドの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
