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J-GLOBAL ID：200903023064041091

光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法

Inventor： 行方 清隆 ,  西野 勇 ,  小林 克巳千 ,  横川 俊雄 ,  緒方 敏代 ,  船木 多香子
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241148
Publication number (International publication number)：1994065725
Application date： Aug. 18, 1992
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高速度で安定な成膜が得られる光記録保護膜用の新規なスパッタリング・ターゲット材およびそれを工業的に安価に製造する方法の提供。【構成】 それぞれ純度99.999%以上で粒径が5 μm以下のZnS粉末とSiO2 粉末をSiO2 がZnSに対して20mol %の割合となるように配合し、加圧後焼成して相対密度90%以上の固結体とする。

Claim (excerpt)：

純度99.999重量%以上の高純度ZnSと純度99.999重量%以上の高純度SiO2 との均質混成固結体からなり、90%以上の相対密度を有していることを特徴とする光記録保護膜用スパッタリング・ターゲット。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-136164
  
• 特公平3-013192