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J-GLOBAL ID:200903023071820241
光弁用半導体装置とその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
林 敬之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993059159
Publication number (International publication number):1994273797
Application date: Mar. 18, 1993
Publication date: Sep. 30, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高速動作可能な駆動回路を内蔵し、液晶のセルギャップが均一に保持された小型の光弁装置を形成できる光弁用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン単結晶薄膜デバイス形成層101内に形成された画素領域502と駆動回路103とを同一チップ内に内蔵した光弁装置において、画素領域502は、光透過を可能としてあり、画素領域以外の領域のシリコン単結晶薄膜デバイス形成層及びシリコン単結晶薄膜デバイス形成層下の絶縁層102の厚さによって液晶のセルギャップを規定したことを特徴とする。
Claim (excerpt):
シリコン単結晶薄膜デバイス形成層内に形成された画素領域と駆動回路とを同一チップ内に内蔵した光弁装置において、画素領域は、光透過を可能としてあり、画素領域以外の領域の該シリコン単結晶薄膜デバイス形成層及び該シリコン単結晶薄膜デバイス形成層下の絶縁層の厚さによって液晶のセルギャップを規定したことを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (3):
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-100516
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液晶画像表示装置及び半導体光学部材の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-219558
Applicant:キヤノン株式会社
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特開平3-100516
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