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J-GLOBAL ID：200903023073443860

酸化物超電導導体の製造方法及びその装置

Inventor： 柿本 一臣 ,  飯島 康裕
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002218930
Publication number (International publication number)：2004059983
Application date： Jul. 26, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】均質な酸化物超電導導体薄膜を具備した、長尺物の酸化物超電導導体を得るための方法と装置を提供する。【解決手段】本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法とした。基材に電流を流すためには、基材を送出する装置と巻き取る装置の回転軸に電流接続端子を設け、回転軸にブラシを摺動させて電流を供給する装置を利用することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体、または酸化物超電導体と同等の組成あるいは成膜中に逃避し易い成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体からなるターゲットから発生させた粒子を、ターゲットの近傍を移動中の基材上に連続的に堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法において、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させることを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。

IPC (4)：

C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

FI (4)：

C23C14/08 K ,  C23C14/28 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

F-Term (18)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DB20 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB36 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39 ,  5G321DB40