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J-GLOBAL ID：200903023076015339

半導体シリコンウエーハの評価方法および評価装置

Inventor： 吉田 知佐 ,  木村 明浩
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999124416
Publication number (International publication number)：2000315714
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体シリコンウエーハの表層に存在する、グローンイン欠陥および加工欠陥を、非破壊で簡単に、かつ高感度で評価する方法を提供し、これによって製品の選別、工程改善、簡便な酸化膜耐圧評価等を可能とする。【解決手段】 半導体シリコンウエーハの表層に存在する欠陥を検出してそのサイズを測定し、この測定された欠陥のグローンイン欠陥を基準とした相対的サイズを求め、欠陥の種類、密度を評価することを特徴とする半導体シリコンウエーハの評価方法、および、少なくとも、半導体シリコンウエーハの表層に存在する欠陥を検出してそのサイズを測定する手段、測定された欠陥のサイズを解析してグローンイン欠陥との相対的サイズを求める手段を具備し、このグローンイン欠陥との相対的サイズから欠陥の種類、密度を評価するものであることを特徴とする半導体シリコンウエーハの評価装置。

Claim (excerpt)：

半導体シリコンウエーハの評価方法であって、半導体シリコンウエーハの表層に存在する欠陥を検出してそのサイズを測定し、この測定された欠陥のグローンイン欠陥を基準とした相対的サイズを求め、欠陥の種類、密度を評価することを特徴とする半導体シリコンウエーハの評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/956

FI (2)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/956 A

F-Term (25)：

2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051BA06 ,  2G051BA08 ,  2G051BA20 ,  2G051CA02 ,  2G051CA07 ,  2G051CA11 ,  2G051CB05 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC01 ,  2G051EC02 ,  2G051EC03 ,  2G051EC06 ,  4M106AA01 ,  4M106AA12 ,  4M106BA04 ,  4M106CA14 ,  4M106CA38 ,  4M106CB19 ,  4M106DH00 ,  4M106DH04 ,  4M106DH31 ,  4M106DJ11