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J-GLOBAL ID:200903023078382800
エッチング方法およびエッチング装置
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川崎 実夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001369877
Publication number (International publication number):2003174009
Application date: Dec. 04, 2001
Publication date: Jun. 20, 2003
Summary:
【要約】【課題】基板上の高誘電率材料を含む薄膜を選択的にエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】ホットプレート45によって所定の温度に加熱されたウエハWの表面に、ふっ酸蒸気発生容器43から、ふっ酸水溶液の蒸気が導かれる。ウエハWの表面には、高誘電率材料からなるゲート絶縁膜が、酸化シリコン膜やポリシリコン膜などとともに形成されている。ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハWの温度を適切に調整することによって、酸化シリコン膜およびポリシリコン膜に大きな損傷を与えることなく、ウエハW上のゲート絶縁膜を良好に選択除去してパターニングできる。
Claim (excerpt):
基板の表面から高誘電率材料を含む薄膜をエッチング除去するエッチング方法であって、基板を所定の温度に加熱する基板加熱工程と、この基板加熱工程と並行して、上記基板の表面に薬液またはケミカルガスを含む蒸気を供給することによって、当該基板の表面の高誘電率材料を含む薄膜を選択的にエッチング除去する蒸気供給工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。
IPC (4):
H01L 21/306
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/786
FI (4):
H01L 21/302 P
, H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 301 G
F-Term (27):
5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB24
, 5F004DA20
, 5F004DA25
, 5F004DB13
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110FF01
, 5F110GG02
, 5F110QQ04
, 5F140AA00
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BE14
, 5F140BE17
, 5F140BF01
, 5F140BF05
, 5F140BF07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体装置の製造方法及びその製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-289080
Applicant:松下電器産業株式会社
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