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J-GLOBAL ID:200903023105458911
半導体リードフレーム用銅合金
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998258620
Publication number (International publication number):2000087158
Application date: Sep. 11, 1998
Publication date: Mar. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 強度、導電性、曲げ加工性、打抜加工性、耐応力腐食割れ性、製造加工性などに優れた半導体リードフレーム用銅合金を提供することを目的とする。【解決手段】 Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%、Pを0.005〜0.5%、Si、Cr、Ti、Zr、Co、Mn、AlおよびMgよりなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.01〜1wt%含み、残部Cuと不可避的な不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が5〜35μmであることを特徴とする。
Claim (excerpt):
Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%、Pを0.005〜0.5%、Si、Cr、Ti、Zr、Co、Mn、AlおよびMgよりなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.01〜1wt%含み、残部Cuと不可避的な不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が5〜35μmであることを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
IPC (2):
FI (2):
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