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J-GLOBAL ID:200903023115802696

二次イオン質量分析装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 春日 讓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993200783
Publication number (International publication number):1995057679
Application date: Aug. 12, 1993
Publication date: Mar. 03, 1995
Summary:
【要約】【目的】 二次イオンの軌道補正を自動的に実行でき高精度な分析が自動的かつ連続的に可能な二次イオン質量分析装置を実現する。【構成】 TIM像位置が読み込まれデータ処理部196の記憶部に格納される。△x算出部191により、△xが算出され、△xに対応する信号が移動量算出部193に供給される。△y算出部192により、△yが算出され、△yに対応する信号が電圧値算出部194に供給される。試料装着部3は試料微動機構4により、移動量算出部193が算出した移動量だけ微動され、偏向電極9には電圧値算出部194が算出した電圧値が印加され、二次イオン軌道が△x及び△yだけ補正される。シャッタ及びレンズ制御部195により一次イオンビームシャッタ2が開とされ、測定が開始される。データ処理部196によりデータが収集され、制御部195によりシャッタ2が閉とされる。
Claim (excerpt):
二次イオンビームを偏向する偏向電極と、分析する試料を装着する試料装着部を移動させる試料移動手段とを有し、二次イオン光学系のセクタ電場とセクタ磁場との間に全二次イオンモニタが設置される二次イオン質量分析装置において、全二次イオンモニタにより得られた全二次イオン像に基づいて、上記偏向電極の印加電圧と試料移動手段による試料装着部の位置とを調整し、二次イオンビームの軌道を補正する二次イオンビーム軌道補正部を備えることを特徴とする二次イオン質量分析装置。
IPC (2):
H01J 37/252 ,  H01J 49/06

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