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J-GLOBAL ID：200903023118163783

イオン交換膜及びその製造方法

Inventor： 有村 智朗
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999011705
Publication number (International publication number)：2000212305
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 02, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 大きいイオン導電性を安定して示す新規な配向型イオン交換膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 次の構造式(1)(式中、R1は水素、脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、Mは1〜4価の金属、R2は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R3〜R5は脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、R6は芳香族環誘導体基、R7は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R8は水素又は脂肪族誘導体基、R9は酸性部位を有する脂肪族誘導体基または芳香族環誘導体基、R10は架橋基を3個有している脂肪族環基又は芳香族環基、p=1〜350、q=1〜500、x=1〜600、y=1〜300、m=1〜200及びn=10〜10000を示す)で表される含金属モノマーIと芳香族誘導体モノマーIIとカルボン酸誘導体モノマーIII と強酸基含有モノマーIVとから成る化学結合主鎖が架橋されたイオン交換樹脂から成る。

Claim (excerpt)：

次の構造式(1)【化1】(式中、R1は水素、脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、Mは1〜4価の金属、R2は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R3〜R5は脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、R6は芳香族環誘導体基、R7は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R8は水素又は脂肪族誘導体基、R9は酸性部位を有する脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、R10は架橋基を3個有している脂肪族環基又は芳香族環基、p=1〜350、q=1〜500、x=1〜600、y=1〜300、m=1〜200及びn=10〜10000を示す)で表される含金属モノマーIと芳香族誘導体モノマーIIとカルボン酸誘導体モノマーIII と強酸基含有モノマーIVとから成る化学結合主鎖が架橋されたイオン交換樹脂から成ることを特徴とするイオン交換膜。

IPC (3)：

C08J 5/22 CER ,  G01N 27/333 ,  H01M 8/02

FI (3)：

C08J 5/22 CER ,  H01M 8/02 P ,  G01N 27/30 331 A

F-Term (20)：

4F071AA22X ,  4F071AA32X ,  4F071AA35X ,  4F071AA39X ,  4F071AA67X ,  4F071AH02 ,  4F071FA01 ,  4F071FA05 ,  4F071FB02 ,  4F071FC01 ,  4F071FD02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08