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J-GLOBAL ID：200903023139665410

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 瀬川 瑞樹 ,  荒井 雅利 ,  薮 俊樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326507
Publication number (International publication number)：1998079506
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高性能かつ高信頼性のMOS型電界効果トランジスタを搭載した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 素子分離4を形成したシリコン基板1上にゲート酸化膜2及びゲート電極3を形成する。次に、4ステップの大傾角イオン注入法により、25 ゚傾いた方向から窒素イオンを注入し、ゲート酸化膜2の両端部に酸窒化層5aを形成し、シリコン基板1内に窒素拡散層6aを形成する。その後、不純物イオンの注入により低濃度ソース・ドレイン領域7を形成し、ゲート電極3の両側面上にサイドウォール8を形成した後、不純物イオンの注入により高濃度ソース・ドレイン領域9を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にMIS型電界効果トランジスタを搭載した半導体装置において、上記MIS型電界効果トランジスタは、上記半導体基板の一部に形成された活性領域と、上記活性領域の上に形成されたゲート酸化膜と、上記ゲート酸化膜の上に形成されたゲート電極と、上記活性領域のうち上記ゲート電極の両方に位置する領域に不純物を導入して形成されたソース領域及びドレイン領域と、上記ゲート酸化膜の両端部のうち少なくとも上記ドレイン領域側の端部に形成された酸窒化層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 L ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G