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J-GLOBAL ID：200903023146803771

ナノ構造体及びその製造方法

Inventor： 斉藤 達也 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002110512
Publication number (International publication number)：2003305700
Application date： Apr. 12, 2002
Publication date： Oct. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 機械的強度が強くない被加工物に対して、ポーラス皮膜の細孔を大面積にわたり簡易にパターニングするナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 Alを主成分とする基板を陽極酸化して得られるナノ構造体の製造方法において、基板表面に塗布したレジスト層12に、複数の突起部分14を有するスタンパー13を押し付けることで、該突起部分14を該レジスト層12に押し込む工程、さらに該スタンパーの該突起部分14の先端から近接場光17を発生させ、突起部分14の先端と基板11の間に存在するレジストの露光を行う工程、その後現像により露光部分18のレジストを除去する工程を含むナノ構造体の製造方法。

Claim (excerpt)：

Alを主成分とする基板を陽極酸化して得られるナノ構造体の製造方法において、基板表面に設けられたレジスト層に、スタンパーに設けられた複数の突起部分を押し込む工程、該スタンパーの突起部分の先端から光を発生させ、突起部分の先端と基板の間に存在するレジストの露光を行う工程、該露光されたレジストの露光部分を現像により除去する工程を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。

IPC (6)：

B82B 3/00 ,  C25D 11/00 308 ,  C25D 11/16 ZNM ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (6)：

B82B 3/00 ,  C25D 11/00 308 ,  C25D 11/16 ZNM ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 D

F-Term (14)：

2H096AA30 ,  2H096CA20 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H097AA20 ,  2H097BB04 ,  2H097CA08 ,  2H097FA03 ,  2H097GA50 ,  2H097JA03 ,  2H097JA04 ,  2H097LA15 ,  5F046AA28