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J-GLOBAL ID：200903023155127835
エッチングダメージ防止方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
絹谷 信雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071255
Publication number (International publication number)：1993275378
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エッチング面17がプラズマ室3から漏れ出るイオンやプラズマからの発光に暴露しないようにしてエッチングダメージを防止するエッチングダメージ防止方法を提供する。【構成】 イオンを照射するとき以外はプラズマ室3に対し基板16のエッチング面17が暴露しないように、基板16をプラズマ室3から隔離するようにした。
Claim (excerpt)：
エッチング室内にエッチャントガスを供給して基板の所要部分に吸着させたのち、上記エッチング室に接続したプラズマ室から上記基板にイオンを照射してドライエッチングする方法において、上記イオンを照射するとき以外は上記プラズマ室に対し上記基板のエッチング面が暴露しないように、上記基板を上記プラズマ室から隔離することを特徴とするエッチングダメージ防止方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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