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J-GLOBAL ID：200903023187006037

半導体発光装置

Inventor： 戎谷 崇 ,  原田 光範 ,  上野 一彦 ,  青山 雅生 ,  立花 佳織 ,  谷田 安 ,  大森 信哉
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 秋元 輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003328090
Publication number (International publication number)：2005093896
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】本発明は、色むらの少ない光源となる半導体発光装置を提供する。【解決手段】基材1に擂鉢状の凹部を設けて凹部の内側面2に反射面を形成し、凹部の底面3にLEDチップ4を載設する。そして光透過性樹脂に蛍光体を分散した第一波長変換部材5を凹部の途中まで充填してLEDチップ4を埋没させ、更に第一波長変換部材5の上方に第一波長変換部材5よりも光透過性樹脂に分散された蛍光体の濃度が高い第二波長変換部材6を充填する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基材に設けられた凹部の底面に少なくとも一つのLEDチップを載設し、前記凹部の途中まで光透過性樹脂に少なくとも一種の蛍光体を分散した第一波長変換部材を充填して前記LEDチップの一部もしくは全体を埋没させ、前記第一波長変換部材の上方に光透過性樹脂に少なくとも一種の蛍光体を分散した第二波長変換部材を充填したことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (6)：

5F041AA05 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA42 ,  5F041DA43 ,  5F041DA58

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 発光半導体を備えた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-241901   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-301528   Applicant：スタンレー電気株式会社
• 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-237492   Applicant：株式会社東芝
• 面発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-030090   Applicant：日亜化学工業株式会社