光起電力素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997208131
Publication number (International publication number)：1999054773
Application date： Aug. 01, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】低コストで、光劣化がほとんど無く、高い光電変換効率も兼ね備えた光起電力素子と、実用的な堆積速度で、i型の微結晶シリコンおよび微結晶SiCを形成することが可能な光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光起電力素子は、IV族元素を主成分とした非単結晶からなるp型半導体層、i型半導体層及びn型半導体層により形成されたpin接合を複数有する光起電力素子において、i型半導体層の主成分として微結晶のシリコンカーバイド(以下微結晶SiCと記す)を含む第1のpin接合とi型半導体層の主成分として微結晶のシリコン(以下微結晶Siと記す)を含む第2のpin接合とを有し、前記第1のpin接合を前記第2のpin接合より光入射側に設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

IV族元素を主成分とした非単結晶からなるp型半導体層、i型半導体層及びn型半導体層により形成されたpin接合を複数有する光起電力素子において、i型半導体層の主成分として微結晶のシリコンカーバイド(以下、微結晶SiCと記す)を含む第1のpin接合とi型半導体層の主成分として微結晶のシリコン(以下、微結晶Siと記す)を含む第2のpin接合とを有し、前記第1のpin接合を前記第2のpin接合より光入射側に設けたことを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光起電力素子及び発電システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-332064 Applicant：キヤノン株式会社
特開平4-167474
特開平4-296062

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