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J-GLOBAL ID：200903023205224756

ダイヤモンド多層配線基板の製造方法

Inventor： 手島 章友
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991339033
Publication number (International publication number)：1993175359
Application date： Dec. 20, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層配線基板の製造方法に関し、ダイヤモンド膜を層間絶縁膜として放熱性と耐熱性の優れた多層基板を実用化することを目的とする。【構成】 ダイヤモンド膜を被覆したシリコン基板にエネルギービームを走査し、走査部のダイヤモンド膜の一部をグラファイトに相変化させて後、このグラファイト上に金属膜を固着させて金属膜よりなる配線パターンを形成するダイヤモンド被覆配線基板の製造方法において、金属膜よりなる配線パターン上にダイヤモンドの成膜が可能な導電性物質を選択的に成長させた後、この基板上にダイヤモンド膜を被覆し、先と同様にエネルギービームを走査してグラファイトよりなる配線パターンを形成すると共に、バイア形成位置を選択的に照射してグラファイトを表面にもち下の配線パターンに達する穴開けを行った後、このグラファイト上に金属膜を被覆して金属よりなる配線パターンとバイアを形成する工程を繰り返すことを特徴としてダイヤモンド多層配線基板の製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド膜を被覆したシリコン基板にエネルギービームを走査し、該走査部のダイヤモンド膜の一部をグラファイトに相変化させて後、該グラファイト上に金属膜を固着させて金属膜よりなる配線パターンを形成するダイヤモンド被覆配線基板の製造方法において、該金属膜よりなる配線パターン上にダイヤモンドの成膜が可能な導電性物質を選択的に成長させた後、該基板上にダイヤモンド膜を被覆し、先と同様にエネルギービームを走査してグラファイトよりなる配線パターンを形成すると共に、バイア形成位置を選択的に照射してグラファイトを表面にもち下の配線パターンに達する穴開けを行った後、該グラファイト上に金属膜を被覆して金属よりなる配線パターンとバイアを形成する工程を繰り返すことを特徴とするダイヤモンド多層配線基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 23/14 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/46 ,  C30B 29/04