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J-GLOBAL ID：200903023236563893

窒化物半導体発光素子とその発光装置

Inventor： 津田 有三 ,  伊藤 茂稔
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000366970
Publication number (International publication number)：2002170988
Application date： Dec. 01, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶系分離を低減させ、良好な結晶性と高い発光効率とを有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上に成長され、Alを含有するGaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>(0<x+y+z≦0.3)単一井戸層を含む、窒化物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

基板上に成長され、Alを含有するGaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>(0<x+y+z≦0.3)単一井戸層を含む、窒化物半導体発光素子。

F-Term (14)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF11