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J-GLOBAL ID:200903023242416185

遠赤外線放射体およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 豊田 武久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992141084
Publication number (International publication number):1993311307
Application date: May. 07, 1992
Publication date: Nov. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】 遠赤外線放射特性が優れ、高温でもクラックが生じにくく、種々の製造法で複雑な形状も得ることができるような、アルミニウム合金を基材とする遠赤外線放射体およびその製造方法を提供する。【構成】 基本的にはSiを1wt%以上3wt%未満含有するAl-Si系合金からなる基材の表面に10μm以上の黒色の陽極酸化皮膜が形成された遠赤外線放射体。特に析出Si粒子の80%以上が0.05μm以上であり、かつSi量が1.5wt%未満では残留固溶Si量(wt%)≦Si含有量(wt%)-0.5を満たし、Si量が1.5wt%以上では残留固溶Si量≦1を満たすようにSi析出状態を制御する。
Claim (excerpt):
Si1wt%以上3wt%未満を含有し、残部がAlおよび不可避的不純物よりなる合金を基材とし、その基材の表面に膜厚10μm以上の黒色の陽極酸化皮膜が形成されていることを特徴とする遠赤外線放射体。
IPC (5):
C22C 21/02 ,  C22C 21/00 ,  C25D 11/04 303 ,  F26B 3/30 ,  F26B 23/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭54-013028
  • 特開平1-180937
  • 特開昭51-099610

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