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J-GLOBAL ID：200903023258692301

半導体発光素子

Inventor： 川口 昌純 ,  大久保 典雄 ,  伊地知 哲朗
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132818
Publication number (International publication number)：1994326356
Application date： May. 10, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 発光パターンに悪影響を与えることなく、また、活性層上下の層の組成に悪影響を与えることもなく、発光端面における光損傷を防止することのできる半導体発光素子を提供する。【構成】 基板11上に超格子層15を含む活性層を形成し、発光端面およびその近傍に非電流注入部18を設けた半導体発光素子において、前記超格子層15を、非電流注入構造部18において他の部分よりも薄くする。

Claim (excerpt)：

基板上に超格子層を含む活性層を形成し、発光端面およびその近傍に非電流注入構造を設けた半導体発光素子において、前記非電流注入構造部分の活性層を構成する超格子層は、他の部分の超格子層よりも薄いことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18