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J-GLOBAL ID：200903023268299365

p型半導体結晶の製造方法および発光デバイス

Inventor： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088034
Publication number (International publication number)：2002289918
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶(たとえば、ZnO)にドナー不純物(たとえば、Ga)を断続的に供給する。

Claim (excerpt)：

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶にドナー不純物を断続的に供給することを特徴とするp型半導体結晶の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 33/00 D ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

F-Term (38)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB05 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA58 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103BB23 ,  5F103BB42 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103RR05 ,  5F103RR10