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J-GLOBAL ID：200903023280401760

素子分離のための半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小森 重樹 ,  塚本 克博
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992326457
Publication number (International publication number)：1993259270
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 分離能力に優れかつ信頼性の高い素子分離構造を備えた半導体装置を提供する。【構成】 表面から所定の深さの位置において深さ方向の濃度分布が最大となる第1導電型の不純物領域1aを有する半導体基板1と、この第1導電型の不純物領域1a内の所定の深さにかけて形成された溝6と、この溝6内に酸化膜11を介して底部のみが半導体基板1の第1導電型の不純物領域1aと選択された第1導電型の不純物拡散領域8aを有している。この半導体装置により、分離領域の底部のほぼ一様に実質的にp+ の高濃度領域が形成されるため分離しきい値に影響を与えない。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記主表面から所定の深さの位置に、前記主表面に対して実質的に平行な最大不純物濃度の帯を有し、前記帯と前記主表面の間に、前記帯よりも低濃度の不純物領域を有する第1導電型の不純物領域と、前記主表面から前記帯にかけて、側壁を有する分離溝と、前記分離溝内を満たす分離材料と、を備えた素子分離のための半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-303060   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社