Pat

J-GLOBAL ID：200903023302430190

半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 加藤 佳秋 ,  奥山 高康 ,  苅田 秀孝 ,  古越 堅司 ,  柏田 泰利
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992188521
Publication number (International publication number)：1994037389
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 リッジ導波路を有する半導体レーザ素子の製造歩留りを向上させる。【構成】 活性層4上にリッジサイド層8の厚さ寸法となる結晶層をエピタキシャル成長法によって形成した後、この結晶層のリッジサイド層形成領域にホトリソグラフィ技術によってマスクを設け、その後エピタキシャル成長法によってマスクから外れた前記結晶層上にエピタキシャル成長層を所定厚さに形成してリッジ7を形成する。前記リッジ7にあっては、リッジ幅は制御性の優れたホトリソグラフィ技術によって決められ、厚さは制御性の優れたエピタキシャル成長法によって決められることから高精度寸法となる。また、リッジサイド層は制御性の優れたエピタキシャル成長法によって厚さ寸法は高精度に形成される。

Claim (excerpt)：

活性層と、この活性層上に直接または1乃至数層の結晶層を介して重ねられるとともに一部がリッジとなりかつリッジの両側がリッジよりも低いリッジサイド層となる結晶層と、を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、前記リッジの形成においては、前記活性層上にまたは活性層上の所定結晶層上に前記リッジサイド層の厚さの結晶層を形成した後、この結晶層の前記リッジサイド層形成部分に対応する表面にマスクを形成し、その後前記マスクから外れた露出する結晶層表面にエピタキシャル成長層を形成することによって所望のリッジを形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。