半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996215644
Publication number (International publication number)：1998065152
Application date： Aug. 15, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】表面チャネル型微細化された半導体素子の拡散層の形成方法に関し、p+ ゲートからのボロンの突き抜けを抑制し、しきい値の安定化を図る。【解決手段】ゲート電極となるポリシリコン膜4の形成時に酸素リーク層5を設け、BF2 を酸素リーク層より浅い位置にピークがくるように注入し、ポリシリコン膜中に導入された弗素を、この酸素リーク層に偏析させることにより、ゲート酸化膜中の弗素濃度を減少させる。これにより、ゲート酸化膜中での弗素によるボロン拡散の促進を抑制する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極にBF2 のイオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 P , H01L 21/265 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

MOS型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-289549 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244188 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-021825

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