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J-GLOBAL ID：200903023308348194
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995240017
Publication number (International publication number)：1997083084
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】面発光レーザからのレーザ発振光を検出する光検出器を一体化できないとともに、効率的な光吸収ができない。【解決手段】基板(1) 上に形成され、活性層(5) と該活性層を挟持する一対のミラー層(3,7) で構成されるレーザ発振光を出射する垂直共振器型面発光レーザからなる発光部(10)と、前記発光部(10)と同一基板(1) 上に形成され、前記活性層(5) と該活性層(5) を挟持する一対のミラー層(3,7) で構成されるレーザ発振光を感受する光検出部(13)とを有する半導体レーザ装置において、前記光検出部(13)の受光面が、前記発光部(10)のレーザ発振光の出射側に形成され、前記活性層(5) を分断する溝(8) の端面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
Claim (excerpt)：
基板上に形成され、活性層と該活性層を挟持する一対のミラー層で構成されるレーザ発振光を出射する垂直共振器型面発光レーザからなる発光部と、前記発光部と同一基板上に形成され、前記活性層と該活性層を挟持する一対のミラー層で構成されるレーザ発振光を受光する光検出部とを有する半導体レーザ装置において、前記光検出部の受光面が、前記発光部のレーザ発振光の出射側に形成された前記活性層を分断する溝の端面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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