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J-GLOBAL ID：200903023310659369
スルホニウム塩及びそれを含有する化学増幅ポジ型レジスト材料
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
奥山 尚男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997136594
Publication number (International publication number)：1998330353
Application date： May. 27, 1997
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 KrFエキシマレーザー等に対して、量産に耐えうる十分な感度を持ち、解像度が大きく、アルカリ水溶液での現像でパターン形成でき、プラズマエッチング耐性に優れ、レジストパターンの耐熱性に優れる化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示されるスルホニウム塩、及びそれを含むレジスト材料。【化1】(式中、R1 は、置換または非置換のアントラセン、置換または非置換のフェナントレン、置換または非置換のフェノチアジン、または、置換または非置換のペリレンから一個の水素原子を除いた一価の基であり、R2 は2価の脂肪族基であり、R4 はアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、OR3 は酸不安定基であり、mは1〜3の整数、nは0〜3の整数で、m+n=3を満たし、r、sは各々0〜5の整数で、r+s≦5を満たし、Y- はアルキルまたはアリールスルホン酸アニオンである。)
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1 は、置換または非置換のアントラセン、置換または非置換のフェナントレン、置換または非置換のフェノチアジン、または、置換または非置換のペリレンから一個の水素原子を除いた一価の基であり、R2 は、へテロ原子を含んでもよい置換または非置換の2価の脂肪族基である。R4 は、直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、直鎖状、分岐状または環状のアルコキシ基、直鎖状、分岐状または環状のアルコキシアルキル基、直鎖状、分岐状または環状のアルケニル基、またはアリール基である。OR3 は、酸不安定基である。mは1〜3の整数であり、nは0〜3の整数であり、m+n=3を満たす。r、sは各々0〜5の整数であり、r+s≦5を満たす。Y- は炭素数2〜20の直鎖状、分枝状または環状の置換または非置換のアルキルまたはアリールスルホン酸アニオンである。)
IPC (7)：
C07C321/30
, C07C309/30
, C07C323/20
, C07D309/12
, C07F 7/18
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
C07C321/30
, C07C309/30
, C07C323/20
, C07D309/12
, C07F 7/18 S
, C07F 7/18 Q
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
