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J-GLOBAL ID：200903023334991232

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 筒井 宏彰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 詔男 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997321784
Publication number (International publication number)：1999163228
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置のパッケージへの組み込み時等における加熱の際に、半導体基板に形成された貫通孔を起点とするクラックが生じるのを防止することができ、その結果、電気的特性や信頼性の劣化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面側に素子部5を設け、半導体基板1の素子部5の接地電極3に対応する位置に貫通孔6を形成し、半導体基板1の裏面側に半導体基板1で発生する熱を放熱しかつ貫通孔6を通して接地電極3に接続する金属層8を設け、半導体基板1と金属層8との間に応力緩衝層21を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面側に素子部を設け、該半導体基板の前記素子部の接地電極に対応する位置に貫通孔を形成し、前記半導体基板の裏面側に該半導体基板で発生する熱を放熱しかつ前記貫通孔を通して前記接地電極に接続する金属層を設けてなる半導体装置において、前記半導体基板と前記金属層との間に応力緩衝層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/34 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 23/34 A ,  H01L 21/88 T