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J-GLOBAL ID：200903023366071283

太陽電池

Inventor： 佐賀 達男 ,  久松 正 ,  松谷 寿信
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991269568
Publication number (International publication number)：1993110121
Application date： Oct. 17, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 逆バイアス電圧によって短絡破壊が起こりにくい太陽電池を低コストで製造する。【構成】 基板を構成するP型領域1の表面にN型領域2を形成する。P型領域1とN型領域2の双方に接するP+ 型領域4を設ける。

Claim (excerpt)：

基板を構成する第1の導電型の領域と、その表面に形成された第2の導電型の領域と、前記の第1の導電型の領域および第2の導電型の領域の双方に接する前記の第1の導電型の領域の不純物濃度より高い第1の導電型の領域とを有することを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭52-124888
  
• 特開昭58-101471
  
• 特開昭54-059092