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J-GLOBAL ID：200903023379446006

ガスセンサ及びその製造方法

Inventor： 朴 ▲ヒョン▼洙 ,  李 圭 晶 ,  權 哲 漢 ,  尹 童 鉉 ,  申 鉉 雨 ,  洪 炯 基
Applicant, Patent owner： エルジー電子株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994278103
Publication number (International publication number)：1995198649
Application date： Nov. 11, 1994
Publication date： Aug. 01, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造技術を利用してシリコン基板上に多数個が同時に形成された薄膜型ガスセンサ及びその製造方法を提供すること。【構成】 本発明の薄膜型ガスセンサは、シリコン基板と、シリコン基板の表面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面上にジグザグ状に形成されたヒータと、前記絶縁膜の表面上に前記ヒータと並んでジグザグ状に形成された温度センサと、絶縁膜上に形成された、ヒータ及び温度センサを電気的に絶縁させるための層間絶縁膜と、前記ヒータ及び温度センサの上部の層間絶縁膜上に形成された多数個の電極と、前記電極の上部にアレイ状に配列された、検出ガスと反応するための多数個の対ガス感応層と、ガス感応層が検出ガスと反応しないように検出ガスを遮断するための各対ガス感応層のうち一つのガス感応層に形成された多数個のガス遮断膜と、を含む。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、シリコン基板の表面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面上にジグザグ状に形成されたヒータと、前記絶縁膜の表面上に前記ヒータと並んでジグザグ状に形成された温度センサと、絶縁膜上に形成された、ヒータ及び温度センサを電気的に絶縁させるための層間絶縁膜と、前記ヒータ及び温度センサの上部の層間絶縁膜上に形成された多数個の電極と、前記電極の上部にアレイ状に配列された、検出ガスと反応するための多数個の対ガス感応層と、ガス感応層が検出ガスと反応しないように検出ガスを遮断するための各対ガス感応層のうち一つのガス感応層に形成された多数個のガス遮断膜と、を含むことを特徴とする薄膜型ガスセンサ。