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J-GLOBAL ID：200903023404316694

電子素子用基板及びその製造方法

Inventor： 天野 茂樹
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992130001
Publication number (International publication number)：1993299345
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 酸素イオン注入により形成されたシリコン酸化膜で誘電体分離されたSOI構造の基板表層の欠陥を減少させる。【構成】 酸素イオン注入により単結晶シリコン基板10内に形成されたシリコン酸化膜12の上方に熱酸化又はCVDによる別のシリコン酸化膜14を設け、イオン注入時のダメージに起因する結晶欠陥や歪み等をこれらのシリコン酸化膜12と14の間のシリコン層13内に閉じ込める。そして、シリコン酸化膜14の上に素子形成用の結晶性の良い単結晶シリコン層15を設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板の所定深さ位置に形成された第1の誘電体層と、前記半導体基板の表面部分に形成された第2の誘電体層と、この第2の誘電体層の上に設けられた素子形成用の半導体層とを有することを特徴とする電子素子用基板。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76