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J-GLOBAL ID：200903023404435677

半導体レーザ素子

Inventor： 石坂 祥司 ,  室 清文 ,  藤本 毅 ,  山田 義和
Applicant, Patent owner： 三井石油化学工業株式会社
Agent (1)： 遠山 勉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037986
Publication number (International publication number)：1996070162
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 弱導波レーザ、LOC構造レーザが有していた導波モードの制御デバイス設計上のジレンマを克服し、高出力化、放射ビームの低分散化、導波モードの改善等を図ると同時に短波長での出力増加、特性温度の向上を図る。【構成】 素子面から垂直方向に形成された活性層の断面両外方にキャリアブロック層を設け、この活性層は一層または複数層の量子井戸層がバリア層および/またはサイドバリア層に挟まれた構造とし、前記キャリアブロック層の断面両外方に導波層を設け、この導波層はクラッド層で挟んだ構造とし、前記量子井戸層の組成は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>As(0≦x≦0.2)とし、前記キャリアブロック層の組成は(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>P(0≦y<0.3,0.20≦Z≦0.83)とした。

Claim (excerpt)：

素子面から垂直方向に形成された活性層の断面両外方にキャリアブロック層が設けられ、前記活性層は、サイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層、またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記キャリアブロック層の断面両外方に導波層が設けられ、前記導波層の両外方にクラッド層が設けられ、前記量子井戸層の組成は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>As(0≦x≦0.2)、前記キャリアブロック層の組成は、(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>P(0≦y<0.3,0.20≦Z≦0.83)であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-180684
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-332231   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-180684