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J-GLOBAL ID：200903023404702454
半導体用絶縁膜または平坦化膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993267457
Publication number (International publication number)：1995122551
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体の絶縁膜、平坦化膜を形成するのに、脱ガス性などの膜質に優れ、平坦化特性が完全平坦化レベルを有し、穴の直径が1.0μm以下の蛸壷状の形状の微細穴に対しても、1〜2回塗布による埋め込みが可能であることまで改善する。【構成】 ポリメチルシルセスキオキサンを、必須成分としてプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、3-アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、乳酸エーテルエステル類などを含む溶剤に溶解させた溶液を使用し、100〜200°Cで溶剤を揮散させ次に200〜500°Cの温度で加熱硬化させることにより、180〜220°Cの軟化による再流動化現象を起こさせ、加熱硬化させる半導体用の絶縁膜または平坦化膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
直径が1μm以下である微細穴を有する半導体素子をコーティングするに際し、下記一般式(1)で示される数平均分子量500〜10,000のポリメチルシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 はメチル基を、R2 は炭素数1〜4のアルキル基及び/または水素原子を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を下記一般式(2)〜(5)で示される溶剤R3 -O-R4 -OCOR5 (2)R6 -O-R7 -COOR8 (3)R9 CH(OH)COOR10 (4)R11CH(OR12)COOR13 (5)(式中、R3 、R5 、R6 、R8 〜R13は炭素数1〜4のアルキル基を、R4、R7 はアルキル基で置換可能な炭素数2〜4のアルキレン基を示す。)の一種または二種以上の混合物を含む溶剤に溶解させた溶液を使用し、該微細穴を埋め込むことを特徴とする半導体用絶縁膜または平坦化膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/31
, C09D183/04 PMS
, H01B 3/46
Cited by examiner (5)
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