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J-GLOBAL ID：200903023409609630

イオンセンサ

Inventor： 増井 寛二 ,  野村 毅
Applicant, Patent owner： 増井 寛二 ,  野村 毅 ,  シーケーディ株式会社
Agent (1)： 富澤 孝 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259478
Publication number (International publication number)：1995092136
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 フッ化物を含む測定溶液であってもイオン濃度の測定が可能であると共にイオン濃度測定の応答時間を飛躍的に短縮することを可能とするイオンセンサを提供すること。【構成】 本発明に係るイオンセンサは、MOS型電解効果トランジスタのゲートに、イオンビームスパッタリング法により形成されたホウ素又はホウ化物からなるイオン感応膜を備え、ドレイン電流の一定電流保持下において、そのイオン感応膜にイオンが吸着した時に前記MOS型電解効果トランジスタのゲート電圧を測定し、その電圧値を演算処理して、前記イオンの濃度を測定する制御装置とから構成される。

Claim (excerpt)：

MOS型電解効果トランジスタと、そのMOS型電解効果トランジスタのゲート上に形成されたイオン感応膜とを備えるイオンセンサにおいて、前記イオン感応膜はホウ素又はホウ化物を付着させることにより形成されることを特徴とするイオンセンサ。