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J-GLOBAL ID：200903023412330213

3-5族化合物半導体用電極材料

Inventor： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994073442
Publication number (International publication number)：1995283167
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】p型不純物をドープした一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体と低い接触抵抗を有する電極材料を提供して、高輝度化、低電圧駆動化できる発光デバイスを実現する。【構成】p型不純物をドープした一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体用電極材料であって、スズ添加酸化インジウムであることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極材料。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープした一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体用電極材料であって、スズ添加酸化インジウムであることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極材料。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00