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J-GLOBAL ID：200903023416255046

タイミング検証方法

Inventor： 飯田 博一 ,  田口 浩文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996106706
Publication number (International publication number)：1997292436
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MOSLSIのタイミング検証方法において、チャネルホットキャリアによるトランジスタ劣化を考慮し、過剰マージンにすることなくMOSLSIの性能を十分に引き出す設計を行ない、かつ、所望寿命までタイミングに関する信頼性を確保するためのタイミング検証方法を提供することを目的とする。【解決手段】 MOSLSIを構成するセル毎の各入力ノードの信号遷移情報とトランジスタの特性情報と所望寿命とから、所望寿命におけるトランジスタの劣化を推定し、劣化したトランジスタの特性を用いて遅延計算を行なうことによりタイミング検証を行なう。

Claim (excerpt)：

MOSLSIのホットキャリアによる特性劣化を考慮したタイミング検証方法であって、MOSLSIの初期状態における特性情報と、前記MOSLSIを構成するセル毎の各ノードの信号遷移情報と、任意の経年数情報と、前記ノードにおける経年後の特性劣化情報獲得工程と、特性劣化時における遅延計算工程とを備えたことを特徴とするMOSLSIのタイミング検証方法。

IPC (3)：

G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01R 31/26 G ,  H01L 21/66 V ,  G01R 31/28 Z