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J-GLOBAL ID：200903023430729514

フォトマスク修正方法

Inventor： 曽田 祐一 ,  森内 昇 ,  行田 和博
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993217039
Publication number (International publication number)：1995056322
Application date： Aug. 09, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 フォトマスクの遮光膜欠損欠陥に対する簡便な修正方法を提供する。【構成】 従来のような遮光膜欠損欠陥部5にFIB法で炭素膜を堆積させる修正法に代わり、遮光膜欠損欠陥部5内またはその近傍において透明材であるガラス基板1または位相シフタ材を加工し、透明光の位相差によりデストラクティブな干渉を起こさせ、遮光膜欠損欠陥部5の転写の際の露光強度をゼロもしくは非常に弱くする。【効果】 炭素膜の選択堆積という高度技術を用いなくても遮光膜の欠損欠陥部を修正することができる。

Claim (excerpt)：

マスクパターンの転写の際の露光光の位相が、遮光膜欠損欠陥部の一部または全部と、その周囲の欠陥のない部分とで、λ/2(ここで、λは露光光の波長である)分だけ位相差が生じるよう、マスク基板および/または位相シフタ部材を加工することを特徴とするフォトマスクの遮光膜欠損欠陥部の修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027