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J-GLOBAL ID：200903023431334033

半導体レーザ

Inventor： 足立 秀人 ,  高森 晃 ,  木戸口 勲 ,  福久 敏哉 ,  萬濃 正也 ,  熊渕 康仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305362
Publication number (International publication number)：1997199792
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、活性層104と、活性層104を挟むn型クラッド層103、p型クラッド層105a〜105cを備えた半導体レーザである。さらに、p型クラッド層105a〜105cの間には、可飽和吸収層106とエッチングストッパ層100とが設けられている。端面の反射率は、約50%に設定されている。これにより、端面での反射率を制御してミラー損失を最適化することで、しきい値電流を小さくすることができるとともに、安定な動作制御を実現できる自励発振レーザが得られる。

Claim (excerpt)：

少なくとも量子井戸層を有する活性層と、該活性層を挟むクラッド構造と、を備えた半導体レーザであって、該クラッド構造は、可飽和吸収層を含んでおり、該可飽和吸収層のエネルギーギャップが、該活性層の該量子井戸層の基底準位間のエネルギーギャップよりも、約30meVから約200meVだけ小さく、それぞれの端面の反射率が約40%〜約90%である、半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-251983   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-206984