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J-GLOBAL ID：200903023431992391
電子冷却素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244533
Publication number (International publication number)：1993198847
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 熱電半導体素子において特に半導体物質の毒性が小さく、安価なものを提供する。【構成】 ストロンチウムとチタンからなる複合酸化物を主成分とし、酸素欠損を有する酸化物半導体をn型素子として用いる構成とする。この構成をとることによりn型半導体素子部の毒性が低下し、性能の優れた熱電半導体素子が得られる。ペルチェ冷却効果は、ベース電極14からn型半導体11及びp型半導体12とベース電極15との間で電流が流れるときにそれぞれの界面で発熱がおこり、n型半導体11からブリッジ金属銅板13及びベースブリッジ金属銅板13からp型半導体12に電流が流れるときにそれぞれの界面で吸熱が行われる。したがってブリッジ電極13が冷却部になる。
Claim (excerpt)：
少なくとも2つの分離した電極と、前記2つの分離電極上のそれぞれに載置したn型半導体とp型半導体と、前記n型半導体とp型半導体とを接合するブリッジ電極とを少なくとも備え、前記n型半導体からp型半導体方向に電流を流した時にブリッジ電極内で吸熱を起こす電子冷却素子において、前記n型半導体がストロンチウムとチタンとを含む複合酸化物を主成分とし、酸素中での高温酸化で重量増加を示す酸素欠損を有する酸化物半導体であることを特徴とする電子冷却素子。
IPC (2)：
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